導(dǎo)讀:IT資訊IT資訊三星Samsung近期極力發(fā)展半導(dǎo)體制造技術(shù)，但時(shí)至今日，在先進(jìn)制程上仍難與臺(tái)積電制造抗衡。話雖如此，Samsung 執(zhí)行長(zhǎng)慶桂顯喊話，宣稱將可無(wú)視目前落后的制電腦技術(shù)定義itss知識(shí)庫(kù)管理和使用制度。

三星Samsung近期極力發(fā)展半導(dǎo)體制造技術(shù)，但時(shí)至今日，在先進(jìn)制程上仍難與臺(tái)積電制造抗衡。話雖如此，Samsung 執(zhí)行長(zhǎng)慶桂顯喊話，宣稱將可無(wú)視目前落后的制造技術(shù)，在 5 年內(nèi)超越臺(tái)積電，成為領(lǐng)先全球的半導(dǎo)體制造公司，而其中的關(guān)鍵就在于 2 納米制程。

韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)援引慶桂顯昨日于韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院 KAIST 的演講，說(shuō)明雖然 Samsung 現(xiàn)在的半導(dǎo)體制造技術(shù)仍落后于臺(tái)積電 1 至 2 年的時(shí)間，但若臺(tái)積電加入 2 納網(wǎng)站建設(shè)多少錢米制程的技術(shù)競(jìng)賽，Samsung 反倒能后來(lái)居上。

建設(shè)網(wǎng)站公司

這是因?yàn)椴煌谂_(tái)積電采用的鰭式場(chǎng)效電晶體 FinFET 架構(gòu) ，Samsung 目前已為 3 納米制程導(dǎo)入了閘極全環(huán)電晶體 GAA百度seo網(wǎng)站優(yōu)化FET 架構(gòu)。而在 2 納米制程上，有報(bào)道指出臺(tái)積電也計(jì)劃采用 GAAFET，換言之，Samsung 已比臺(tái)積電更早將 GAA 技術(shù)實(shí)用化。傳出三星翻蓋手機(jī) Galaxy Z Flip 4 漲價(jià)，基本款售價(jià)1080歐元起

然而這是否代表 Samsung 能夠在 2 納米制程拿下市場(chǎng)仍有待觀察，因?yàn)槟壳?Samsung 以 GAAFET 制造的 3 納米芯片良率不佳，再者，雙方預(yù)計(jì)大量生產(chǎn) 2 納米芯片的時(shí)間點(diǎn)皆落在 2025 年，Samsung 即便更早將 GAAFET 投入生產(chǎn)，能否克服技術(shù)障礙卻不得而知。

三星翻蓋新機(jī)Samsung Galaxy Z Flip 4 曝光：真機(jī)屏幕折痕更淺更淡相關(guān)電腦技術(shù)定義itss知識(shí)庫(kù)管理和使用制度。

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