三星自信五年超越臺積電，用二納米制程對決I
導讀:IT資訊IT資訊三星Samsung近期極力發(fā)展半導體制造技術，但時至今日，在先進制程上仍難與臺積電制造抗衡。話雖如此，Samsung 執(zhí)行長慶桂顯喊話，宣稱將可無視目前落后的制電腦技術定義itss知識庫管理和使用制度。
三星Samsung近期極力發(fā)展半導體制造技術，但時至今日，在先進制程上仍難與臺積電制造抗衡。話雖如此，Samsung 執(zhí)行長慶桂顯喊話，宣稱將可無視目前落后的制造技術，在 5 年內超越臺積電，成為領先全球的半導體制造公司，而其中的關鍵就在于 2 納米制程。
韓國經濟日報援引慶桂顯昨日于韓國科學技術院 KAIST 的演講，說明雖然 Samsung 現(xiàn)在的半導體制造技術仍落后于臺積電 1 至 2 年的時間，但若臺積電加入 2 納網站建設多少錢米制程的技術競賽，Samsung 反倒能后來居上。
這是因為不同于臺積電采用的鰭式場效電晶體 FinFET 架構 ，Samsung 目前已為 3 納米制程導入了閘極全環(huán)電晶體 GAA百度seo網站優(yōu)化FET 架構。而在 2 納米制程上，有報道指出臺積電也計劃采用 GAAFET，換言之，Samsung 已比臺積電更早將 GAA 技術實用化。傳出三星翻蓋手機 Galaxy Z Flip 4 漲價，基本款售價1080歐元起
然而這是否代表 Samsung 能夠在 2 納米制程拿下市場仍有待觀察，因為目前 Samsung 以 GAAFET 制造的 3 納米芯片良率不佳，再者，雙方預計大量生產 2 納米芯片的時間點皆落在 2025 年，Samsung 即便更早將 GAAFET 投入生產，能否克服技術障礙卻不得而知。
三星翻蓋新機Samsung Galaxy Z Flip 4 曝光：真機屏幕折痕更淺更淡相關電腦技術定義itss知識庫管理和使用制度。聲明: 本文由我的SEOUC技術文章主頁發(fā)布于:2023-05-14 ，文章三星自信五年超越臺積電，用二納米制程對決I主要講述五年,資訊,臺積電網站建設源碼以及服務器配置搭建相關技術文章。轉載請保留鏈接: http://www.bifwcx.com/article/news_1012.html
