驍龍8 Gen1+ 能耗比提升30%：或告別大火龍稱號IT資
導讀:IT資訊IT資訊Qualcomm 中國今日宣布將于本月 20 日舉行驍龍之夜活動，活動中將展示 Qualcomm 旗下的全新 SOC 產品和搭載全新 Qualcomm SOC itokoki煤氣切換閥知識最新itss體系認證知識。
Qualcomm 中國今日宣布將于本月 20 日舉行驍龍之夜活動，活動中將展示 Qualcomm 旗下的全新 SOC 產品和搭載全新 Qualcomm SOC 的合作品牌機型，不出意外的話屆時我們能看到全新的 驍龍 8 Gen1 + 和 驍龍 7 Gen 1 SOC 的亮相。
根據已網seo優化趨勢有的爆料資料來看，8 Gen1 + 對比因功耗和發熱問題飽受爭議的前代產品 8 Gen1，唯一的改變可能只有將制程工藝從三星 4nm 工藝更換到了良品率和集成密度更高的臺積電 4nm 工藝。雖然在名字上看起來都是 4nm 制程，但臺積電的 4nm 工藝可以將半導體管網站建設的集成密度提升到到 171.3MTr/mm2 ，而三星的 4nm 工藝的集成密度僅為 145.8MTr/mm2，甚至不及集成密度為 171.3MTr/mm2 的臺積電 5nm 工藝。
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集成度更高的制造工藝意味著在芯片設計不變的情況下，能使用更低的功耗換取更高的性能。根據數碼博主 @數碼閑聊站 的爆料，8 Gen1 + 相對于前代產品，在性能提高 10% 的同時將功耗下降了接近 30%，能效比的提升近 30%。
如果爆料消息準確，那么這顆看起來更加冷靜的 8 Gen1 + 或許不會再讓 Android 廠家推出旗艦產品時絞盡腦汁的處理散熱問題。
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