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三星7月份搶先量產3納米制程芯片，卻傳出良率不超過20%，根據韓媒《Naver》報道，三星已與美國公司Silicon Frontline Technology擴大合作，希望借此提高芯片在生產過程中的良率，能實現對勁敵臺積電的超越。

報道指出，三星過往4納米和5納米 制程都存在良率相關的問題，包括三星代工廠制造的高通旗艦處理器Snapdragon 888、Snapdragon 8 Gen1都過熱，三星因此痛失大客戶，像是高通新款 Snapdragon 8 Gen 2全數獨家由臺積電拿下，輝達RTX 4000系列GPU也以臺積電5 納米制程技術量產。

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三星不希望3納米 制程又出現上述這種情況，因此正擴大與網站seo優化Silicon Frontline Technology的合作關系。報道提到，Silicon Frontline Technology 提供高端網站建設芯片資格評估和靜電放電 (ESD) 預防技術，ESD是導致半導體芯片缺陷的一大原因，防止或減少ESD將有助于提高芯片良率。

報道稱，三星將Silicon Frontline Technology技術應用于芯片設計和生產過程中，已取得令人滿意的結果。三星如果設法提高先進制程的良率，結合其3納米GAA架構，有機會與臺積電一較高下，并奪回大客戶訂單。

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